信途科技今天給各位分享內(nèi)存產(chǎn)品推廣PPT的知識，其中也會對運行內(nèi)存擴展進行解釋，如果能碰巧解決你現(xiàn)在面臨的問題，別忘了關(guān)注和分享本站。

需要做一份關(guān)于推廣營銷案例的PPT，需要一個目錄以及大概的思路，求指導。

首先做一個簡單的市場分析，包括自身的產(chǎn)品和競品，通過分析得知SWOT，得出我們要利用并把握優(yōu)勢和機會，用策略彌補或規(guī)避劣勢。其次，根據(jù)產(chǎn)品的性質(zhì)（人群、受眾、價位、產(chǎn)品定位、VI、SLOGAN、已有營銷方式等）制定營銷推廣策略，用線上的方式（如微博、微信、貼吧、軟文等）對產(chǎn)品進行線上曝光，線下的方式聚集受眾。第三，比較線上和線下的優(yōu)劣勢，得出結(jié)論是線上線下配合才能達到最大的營銷效果。第四是結(jié)論或者已有的成功案例，第五總結(jié)，大概是這樣。

產(chǎn)品推廣ppt有哪幾部分組成？

產(chǎn)品推廣是指企業(yè)產(chǎn)品（服務(wù)）問世后進入市場所經(jīng)過的一個階段，網(wǎng)絡(luò)營銷的服務(wù)之一。產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)推廣：需要借助于一定的網(wǎng)絡(luò)工具和資源，網(wǎng)站推廣方法實是對某種網(wǎng)站推廣手段和工具的合理利用。做產(chǎn)品推廣找錦隨推。有自己的產(chǎn)品企業(yè)網(wǎng)站，可以進行網(wǎng)站推廣。產(chǎn)品推廣有許多方法如信息發(fā)布推廣方法，搜索引擎推廣方法，電子郵件推廣方法，資源合作推廣方法等。

內(nèi)存的工作特點是什么

內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導體器件制成。內(nèi)存的特點是存取 內(nèi)存

速度快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內(nèi)存中進行的。就好比在一個書房里，存放書籍的書架和書柜相當于電腦的外存，而我們工作的辦公桌就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上，當然內(nèi)存的好壞會直接影響電腦的運行速度。

電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽的知識

內(nèi)存條的作用

內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如WindowsXP系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內(nèi)存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。其是連接CPU 和其他設(shè)備的通道，起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用。 當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣！為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內(nèi)存。

內(nèi)存條類型和接口

一、DIMM（雙inline記憶模塊，雙列直插內(nèi)存模塊）SDRAM接口；SDRAM dimm 為168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，如下圖。金手指沒面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入接口時，錯誤將內(nèi)存反方向插入導致燒毀。

不可否認的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。

二、DDR內(nèi)存，DIMM DDRAM內(nèi)存接口采用184pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有92pin，如下圖所示（DDR內(nèi)存金手指上只有一個卡口）

有184針的DDR內(nèi)存（DDR SDRAM）

SDRAM 內(nèi)存條

芯片和模塊

標準名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率

DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列傳輸 PC-1600 1600 MB/s

DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列傳輸 PC-2100 2100 MB/s

DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列傳輸 PC-2700 2700 MB/s

DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列傳輸 PC-3200 3200 MB/s

利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。

DDR I/II內(nèi)存運作時脈：實際時脈*2。 （由于兩筆資料同時傳輸，200MHz內(nèi)存的時脈會以400MHz運作。）

內(nèi)存帶寬=內(nèi)存速度*8 Byte

標準公式：內(nèi)存除頻系數(shù)=時脈／200→*速算法：外頻*（除頻頻率／同步頻率） （使用此公式將會導致4%的`誤差）

三、DDR2內(nèi)存，DDR2接口為240pin DIMM結(jié)構(gòu)。金手指每面有120pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口。但是卡口的位置與DDR內(nèi)存不同，因此DDR內(nèi)存條是插不進DDR2內(nèi)存條的插槽里面的。因此不用擔心插錯的問題。

一款裝有散熱片的DDR2 1G內(nèi)存條

DDR內(nèi)存插槽

DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。

各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)

標準名稱 I/O 總線時鐘頻率 周期 存儲器時鐘頻率 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模塊名稱 極限傳輸率 位寬

DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行傳輸 PC2-3200 3200MB/s 64位

DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行傳輸 PC2-4200

PC2-4300 4266 MB/s 64 位

DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行傳輸 PC2-5300

PC2-5400 5333 MB/s 64 位

DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行傳輸 PC2-6400 6400 MB/s 64 位

DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行傳輸 PC2-8500

PC2-8600 8533 MB/s 64 位

現(xiàn)時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩(wěn)定性。

四、DDR3內(nèi)存條

第三代雙倍資料率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR3 SDRAM），是一種電腦內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存）的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品。

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

A-DATA出品的DDR3內(nèi)存條（DDR SDRAM）

各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)

標準名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率 位元寬

DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列傳輸 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元

DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列傳輸 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元

DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列傳輸 PC3-10600 10.6 GiB/s 64 位元

DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列傳輸 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元

DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列傳輸 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元

DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列傳輸 PC3-17000 64 位元

DDR2和DDR3的區(qū)別

邏輯Bank數(shù)量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2GB容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

封裝（Packages），DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。

突發(fā)長度（BL，Burst Length），由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可透過A12位址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

尋址時序（Timing），就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提升。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)──寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

新增功能──重置（Reset），重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業(yè)界已經(jīng)很早以前就要求增這一功能，如今終于在DDR3身上實現(xiàn)。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉。所有內(nèi)部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。

新增功能──ZQ校準，ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳透過一個命令集，經(jīng)由片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導通電阻與終結(jié)電阻器（ODT，On-Die Termination）的終結(jié)電阻值。當系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后，將用相對應(yīng)的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

怎樣做介紹產(chǎn)品的PPt

我們的產(chǎn)品項目一般分為公司文化、產(chǎn)品介紹、營銷策略三部分~

公司篇 分為公司簡介 企業(yè)優(yōu)勢 公司框架 品牌推廣 公司理念等

產(chǎn)品篇 分為產(chǎn)品用途 傳統(tǒng)產(chǎn)品的特點（缺點） 產(chǎn)品作用原理 相關(guān)部門的批準證明 產(chǎn)品資質(zhì) 權(quán)威認證 產(chǎn)品特點 產(chǎn)品介紹

營銷篇 分為國家政策 行業(yè)分析 市場預測 營銷策略

最后加幾張圖片等就可以了 大約50-60張ppt

如何做品牌推廣方案ppt

一般分為公司文化、產(chǎn)品介紹、營銷策略三部分~

具體的so—下——百帝網(wǎng)絡(luò)有案例的可以借鑒

主要內(nèi)存廠商介紹

1.現(xiàn)代

個人認為，原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條，其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實在得多，此外，現(xiàn)代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導體Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前，市場上比劃超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片，其性價比很不錯。

2.金士頓

作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston，其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進入中國市場以來，就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù)，贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商，然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品，其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。

Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等，其分屬ValueRam系列（經(jīng)濟型）和HyperX系列。

HyperX系列

Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內(nèi)存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。

3.利屏

利屏是進來新近崛起的一個內(nèi)存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設(shè)在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團隊和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以"超頻之神"的美譽。

另外還有Kinghourse，NANYA，Micron等品牌，都是不錯的選擇，這里就不一一贅述了。

"利屏"眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內(nèi)存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。

而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu)，每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進行散熱及確保運行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。

4.勤茂

勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內(nèi)存，采用CSP技術(shù)封裝—這款，勤茂DDR433內(nèi)存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數(shù)不錯。此外，內(nèi)存外面包裹著金黃色內(nèi)存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內(nèi)存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。

5.Kingmax 勝創(chuàng)

成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺灣省前200強的生產(chǎn)企業(yè)（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。

通過嚴格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品，不斷向移動計算領(lǐng)域提供價廉物美的最出色的內(nèi)存模組。

在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時代，也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現(xiàn)在的500，Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置，繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存，就不能不說到它獨特的 "TinyBGA" 封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達到的內(nèi)存容量。同時，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計的1GB StackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應(yīng)用設(shè)計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。

Kingmax勝創(chuàng)推出的低價版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品，其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。

6.Corsair（海盜旗）

Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內(nèi)存品牌，其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內(nèi)存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差，而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。

而Corsair DDR500內(nèi)存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。

7.Apacer（宇瞻）

在內(nèi)存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷，并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調(diào)，精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當中。

最近，宇瞻相應(yīng)推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計。宇瞻金牌內(nèi)存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標準設(shè)計而成，經(jīng)過ISO 9002認證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板，每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后，采用高速SMT機臺打造，經(jīng)過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試，品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內(nèi)存（PC4000內(nèi)存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面，這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標準工作電壓2.6V+-0.1V，標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。

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